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  • 制 造 商:東芝半導體(Toshiba)
  • 出廠封裝:VS-8
  • 功能類別:單端場效應管
  • 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
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    東芝半導體公司完整型號:TPCF8104(TE85L,F,M

    制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:MOSFET P-CH 30V 6A VS-8

    系列:-

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):30V

    電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):6A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):28 毫歐 @ 3A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):34nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1760pF @ 10V

    功率 - 最大值:-

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

    供應商器件封裝:VS-8(2.9x1.9)



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